本征半导体是未掺杂的半导体。1)本征半导体是完全纯的半导体晶体，结构完整，元素半导体Si和Ge中杂质的作用半导体掺杂的目的是控制半导体的导电性，其重要作用之一是制作pn结及相关器件，未掺杂时为纯半导体材料(本征半导体)，其导电性需要特殊的外界条件(如温度)，本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降。
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提高折反射光学系统的性能波长为157nm的F2准分子激光器的特点是带宽窄。Cymer公司的产品带宽为0.6 ~ 0.7 pm，较窄的带宽提高了折反射光学系统的性能。折反射光学系统的关键是分束立方体，它采用氟化钙材料，可以有效地减小光路和系统的体积。大尺寸易碎的CaF2一直是157nm曝光的限制因素。现在SVGL展出了12 ~ 15英寸的CaF2单晶锭，为大数值孔径折反射分束器的设计扫清了道路。
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你说的导电性好，是指电阻率低。电阻率主要由材料中的载流子浓度和迁移率决定，这两者都与杂质浓度和温度有关。未掺杂时为纯半导体材料(本征半导体)，其导电性需要特殊的外界条件(如温度)，本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降。对于杂质半导体:掺杂杂质使其导电性更好主要是因为掺杂特定的杂志和杂质功率提供载流子，载流子浓度增加，导致电阻率更低，导电性更好。
散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增加，所以电阻率降低。当温度继续升高，杂质全部电离，本征激发不显著，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而升高。当本征激发快速增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出与半导体相同的特性。
半导体掺杂的目的是控制半导体的导电性，其中一个重要作用是制作pn结及相关器件。请参见“”中的相关说明。本征半导体是未掺杂的半导体。掺杂工艺是以高纯半导体为基础的，我们需要准备高纯进行有目的的掺杂，这样才能根据掺杂来控制半导体性质。1)本征半导体是完全纯的半导体晶体，结构完整。在绝对零度，价带被价电子填满，导带是空的。
对于掺杂半导体，载流子主要来自室温附近杂质的电离。当所有杂质都被电离后，器件可以在一定的载流子浓度下稳定工作，所以一般用含Hodang magazine的半导体材料来制造半导体器件，每种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度。超过这个温度后，设备将会失效，3)元素半导体Si和Ge中杂质的作用:半导体Si\\\\Ge的电导率发生了显著变化。